伊德拉布(Idlab)是根特大学的IMEC研究团队和比利时安特卫普大学(University of Belgium),使用5NM FinFET CMOS流程开发了7位150 GSA/S DAC,该工程允许使用PAM-4 Modulation使用PAM-4 Modulation,该过程允许高达300 GB/s的数据速率。本文的提及:DAC旨在满足对更快的数据中心链接的不断增长的需求,结合了能源的速度和效率,以设定转换有线数据的新标准。随着密集的数据应用程序(例如机器研究和AI)变得越来越普遍,对更高数据传输速率的需求继续推进数据中心。因此,超高速度ADC和DAC对于确保数据流与随后的生成有线系统非常重要。传统的建筑通常不足,导致了绑架的信号比较和阳ot。同时,由于在大数据中心基础架构中相互关联的相互关联的数量的增长速度快于计算量速率,因此电力效率变得越来越重要。 Pam-4 h作为数据中心的首选调制解决方案,该解决方案可以在没有更多带宽的情况下激活更快的数据传输。该7位DAC专为指向下一代数据的链接而设计,旨在使数据速率超过200 GB/s,并最终每通道达到400 GB/s。为了有效地管理这些速度,使用高级CMOS节点(例如5NM FinFET)实现了所需的信号处理。因此,DAC也应在同一技术节点内实现。 IMEC高速收发器项目经理Peter Ossieur说:“将复杂的体系结构纳入可测量的CMOS节点,在高级集成电路设计中使用独特的IMEC。为了优化功率效率,IMEC已大大改变了DAC体系结构,从而大大降低了单晶细胞的数量,将127个单元格的数量从127和0.9V和0.96V和0.96V和0.96V和0.96V中降低。
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