三星在TSMC的3NM FIN FIELD效应晶体管上促进了2NM技术

本文指出：市场上有越来越多的八卦，三星正在积极地进行2NM开发资源，计划明年推出下一代德克萨斯州工厂流程，也许是试图克服TSMC。但是，根据半导体行业的资源，《商业时报》报道说，三星目前的3纳米GAAFET技术几乎与竞争者的4纳米鳍片节点相媲美，这越来越担心即将到来的2纳米过程可能小于最强的3-NOMINEE FIN FET。同时，TSMC继续扩展3纳米家族过程，以包括各种应用变体，例如N3X，N3C和N3A。该报告记录说，这些节点预计将是主要客户的领先选择。同样的报告，几乎所有旗舰SoC的旗舰店目前都依赖于TSMC（N3E）的第二代3纳米过程，唯一的例外是三星的Exynos 2500，它使用其OWN 3纳米GAAFET技术。报告中提到的行业资源表示，大多数芯片制造商都准备今年转到第三代3纳米节点（N3P）。据报道，自去年年底以来，TSMC已开始进行N3P质量生产，预计2025年的总容量将增加60％以上。商业时报报告说，TSMC继续提供良好的整体芯片性能。例如，使用相同ARM Cortex-X925超大核心设计的Dimente 9400达到了3.62GHz的时钟速度。超过三星Exynos 2500的3.3GHz，并在前三分之三发行。为了应对美国对国内生产的不断增长的需求，据报道，亚利桑那州的第二个TSMC结构进入了加速阶段，并且搬迁计划定于2025年第三季度举行。